伊人成人网 好意思国实验室研发新式激光本事，有望大幅栽植芯片制造效力

IT之家 1 月 5 日音尘伊人成人网，好意思国劳伦斯利弗莫尔国度实验室（LLNL）正在研发一种基于铥元素的拍瓦（petawatt）级激光本事，该本事有望取代现时伊人成人网极紫外光刻（EUV）器具中使用的二氧化碳激光器，并将光源效力栽植约十倍。这一打破可能为新一代“卓越 EUV”的光刻系统铺平说念路，从而以更快的速率和更低的能耗制造芯片。

现时，EUV 光刻系统的能耗问题备受关怀。以低数值孔径（Low-NA）和高数值孔径（High-NA）EUV 光刻系统为例，其功耗永诀高达 1，170 千瓦和 1，400 千瓦。这种高能耗主要源于 EUV 系统的职责旨趣：高能激光脉冲以每秒数万次的频率挥发锡滴（50 万摄氏度），以变成等离子体并放射 13.5 纳米波长的光。这照旧由不仅需要普遍的激光基础要津和冷却系统，还需要在真空环境中进行以幸免 EUV 光被空气接纳。此外，EUV 器具中的先进反射镜只可反射部分 EUV 光，因此需要更矍铄的激光来提高产能。

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IT之家防御到，LLNL 主导的“大口径铥激光”（BAT）本事旨在治理上述问题。与波长约为 10 微米的二氧化碳激光器不同，BAT 激光器的职责波长为 2 微米，表面上大约提高锡滴与激光相互作用时的等离子体到 EUV 光的挪动效力。此外，BAT 系统剿袭二极管泵浦固态本事，相较于气体二氧化碳激光器，具有更高的全体电效力和更好的热赓续能力。

最初，LLNL 的盘考团队联想将这种紧凑且高重叠率的 BAT 激光器与 EUV 光源系统连系，测试其在 2 微米波长下与锡滴的相互作用效力。LLNL 激光物理学家布伦丹・里根（Brendan Reagan）默示：“已往五年中，咱们已经完成了表面等离子体模拟和宗旨考据实验，为这别称堂奠定了基础。咱们的职责已经在 EUV 光刻畛域产生了迫切影响，当今咱们对下一步的盘考充满期待。”

关联词，将 BAT 本事摆布于半导体分娩仍需克服紧要基础要津改动的挑战。现时的 EUV 系统经过数十年才得以锻练，因此 BAT 本事的实践摆布可能需要较长时期。

据行业分析公司 TechInsights 展望，到 2030 年，半导体制造厂的年耗电量将达到 54，000 吉瓦（GW）伊人成人网，率先新加坡或希腊的年用电量。若是下一代超数值孔径（Hyper-NA）EUV 光刻本事参加市集，能耗问题可能进一步加重。因此，行业对更高效、更节能的 EUV 机器本事的需求将抓续增长，而 LLNL 的 BAT 激光本事无疑为这一筹画提供了新的可能性。